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J-GLOBAL ID:201603003576120133

粒子検出器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2014218137
Publication number (International publication number):2016085867
Application date: Oct. 27, 2014
Publication date: May. 19, 2016
Summary:
【課題】粒子を検出した際に直流バイアス電流が並列に接続された超伝導ストリップ線に流出することを抑制した検出器を提供する。【解決手段】超伝導状態に保たれた超伝導ストリップに粒子又は光子が衝突すると該衝突により超伝導状態から常伝導状態に転移することにより抵抗変化を生じて生成される電気信号により粒子又は光子を検出する粒子・光子検出器であって、複数の超伝導ストリップの一端を共通に接地し、各超伝導ストリップの他端にコンデンサとバイアス抵抗を直列に接続したものを並列に合成して前記電気信号として出力するとともに、直流バイアス電流源を、各超伝導ストリップとこれに直列に接続された前記コンデンサまたはバイアス抵抗との間にコイルを介して接続し、前記直流バイアス電流源から臨界電流より低い直流バイアス電流を各超伝導ストリップに供給することを特徴とする。【選択図】図2
Claim (excerpt):
超伝導状態に保たれた超伝導ストリップに粒子又は光子が衝突すると該衝突により超伝導状態から常伝導状態に転移することにより抵抗変化を生じて生成される電気信号により粒子又は光子を検出する粒子・光子検出器であって、 複数の超伝導ストリップの一端を共通に接地し、各超伝導ストリップの他端にコンデンサとバイアス抵抗を直列に接続したものを並列に合成して前記電気信号として出力するとともに、 直流バイアス電流源を、各超伝導ストリップとこれに直列に接続された前記コンデンサまたはバイアス抵抗との間にコイルを介して接続し、前記直流バイアス電流源から臨界電流より低い直流バイアス電流を各超伝導ストリップに供給することを特徴とする粒子・光子検出器。
IPC (2):
H01J 49/06 ,  H01L 39/00
FI (2):
H01J49/06 ,  H01L39/00 A
F-Term (4):
4M113AC25 ,  4M113AC29 ,  5C038FF03 ,  5C038FF04

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