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J-GLOBAL ID：201603003650569067

III族窒化物の製造方法

Inventor： 纐纈 明伯 ,  熊谷 義直 ,  久保田 有紀 ,  永島 徹
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京農工大学 ,  株式会社トクヤマ
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012216860
Publication number (International publication number)：2014069987
Patent number：6030907
Application date： Sep. 28, 2012
Publication date： Apr. 21, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 III族原料ガスと窒素源ガスとの間にバリアガスを介在させて、かつ、該III族原料ガスをベース基板表面に沿った流れで供給することにより、該III族原料ガスと該窒素源ガスとを該ベース基板表面で反応させて、該ベース基板表面にIII族窒化物を製造する方法において、 該ベース基板表面に対して垂直な方向における該III族原料ガスの両側にバリアガスを少なくとも供給し、 該ベース基板表面に近い側のバリアガスを第一バリアガスとし、該ベース基板表面から遠い側のバリアガスを第二バリアガスとしたとき、前記第二バリアガスの供給量(V2)に対する前記第一バリアガスの供給量(V1)の比(V1/V2)が0.2≦(V1/V2)<1.0となるようにバリアガスを供給することを特徴とするIII族窒化物の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 25/14 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (4)：

C30B 29/38 C ,  C30B 25/14 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• III族窒化物結晶の作製装置およびIII族窒化物結晶の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-147066   Applicant：国立大学法人三重大学, 日本碍子株式会社
• MOCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-066445   Applicant：スタンレー電気株式会社
• 気相成長装置及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-066396   Applicant：日本酸素株式会社
• アルミニウム系III族窒化物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-303320   Applicant：株式会社トクヤマ
• 複合ガス導入システムおよび方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-612540   Applicant：シービーエルテクノロジーズインコーポレイテッド, 松下電器産業株式会社