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J-GLOBAL ID:201603003836231740

p型熱電変換材料及びその製造方法、並びに、熱電変換素子及び熱電変換モジュール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2011255852
Publication number (International publication number):2012129516
Patent number:5931413
Application date: Nov. 24, 2011
Publication date: Jul. 05, 2012
Claim (excerpt):
【請求項1】 Mg2Siと、下記一般式(1): Mg2X ・・・・(1) [式(1)中、Xはストロンチウム及びバリウムからなる群から選択されるアルカリ土類金属を示す。] で表わされる化合物(I)と、下記一般式(2): XMgSi ・・・(2) [式(2)中、Xは式(1)中のXと同義である。] で表わされる化合物(II)とからなり、 前記Mg2Siと前記化合物(I)と前記化合物(II)との合計量(合計量a)に対する前記Mg2Siの含有モル比(Mg2Si量/合計量a)が0.005〜0.2であり、前記化合物(I)の含有モル比(化合物(I)量/合計量a)が0.65〜0.99であり、前記化合物(II)の含有モル比(化合物(II)量/合計量a)が0.005〜0.15である焼結体を含有することを特徴とするp型熱電変換材料。
IPC (7):
H01L 35/14 ( 200 6.01) ,  H01L 35/34 ( 200 6.01) ,  B22F 3/02 ( 200 6.01) ,  B22F 3/14 ( 200 6.01) ,  C22C 24/00 ( 200 6.01) ,  C04B 35/58 ( 200 6.01) ,  C04B 35/64 ( 200 6.01)
FI (7):
H01L 35/14 ,  H01L 35/34 ,  B22F 3/02 P ,  B22F 3/14 101 B ,  C22C 24/00 ,  C04B 35/58 106 Z ,  C04B 35/64 E
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
Article cited by the Patent:
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