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J-GLOBAL ID：201603005012990203

半導体電極

Inventor： 佐野 双美 ,  脇 一太郎 ,  杉山 正和 ,  藤井 克司
Applicant, Patent owner： 昭和シェル石油株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
Agent (1)： 伊藤 温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012267699
Publication number (International publication number)：2016027936
Application date： Dec. 06, 2012
Publication date： Feb. 25, 2016
Summary：

【課題】半導体/電解質界面で生じる「化学反応の促進による変換効率の向上」に寄与し得る光触媒(あるいは半導体)のバンド端電位を適宜変更し得る技術の提供。【解決手段】半導体表面に、当該半導体とは異なる、バンドギャップが4eV以下である半導体又は金属である材料が10nm以下の膜厚にて膜状に形成されていることを特徴とする半導体電極。前記半導体としては窒化ガリウム、金属材料としては二酸化チタンが、有用である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体表面に、当該半導体とは異なる、バンドギャップが4eV以下である半導体又は金属である材料が10nm以下の膜厚にて膜状に形成されていることを特徴とする半導体電極。

IPC (3)：

B01J 35/02 ,  H01M 4/58 ,  B01J 27/24

FI (3)：

B01J35/02 J ,  H01M4/58 ,  B01J27/24 M

F-Term (39)：

4G169AA03 ,  4G169BA01B ,  4G169BA04A ,  4G169BA04B ,  4G169BA48A ,  4G169BB11A ,  4G169BB11B ,  4G169BC17A ,  4G169BC17B ,  4G169CC33 ,  4G169DA05 ,  4G169EA08 ,  4G169EB15X ,  4G169EB15Y ,  4G169EC27 ,  4G169EC28 ,  4G169FA03 ,  4G169FB02 ,  4G169HA01 ,  4G169HB01 ,  4G169HC21 ,  4G169HC28 ,  4G169HD13 ,  4G169HE09 ,  4G169HE10 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC11 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032HH04 ,  5H032HH08 ,  5H050BA15 ,  5H050CA01 ,  5H050CA02 ,  5H050CB01 ,  5H050CB02 ,  5H050HA04 ,  5H050HA16