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J-GLOBAL ID：201603005815659522
希土類薄膜磁石及びその製造方法並びに希土類薄膜磁石形成用ターゲット
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小越 一輝
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014115719
Publication number (International publication number)：2015230944
Patent number：5861246
Application date： Jun. 04, 2014
Publication date： Dec. 21, 2015
Claim (excerpt)：
【請求項1】 Nd、Fe、Bを必須成分とする希土類薄膜磁石であって、α-Fe相とNd2Fe14B相とが三次元的に交互に配列した組織からなり、各相の平均結晶粒径が10〜30nmであり、膜厚が5μm以上、残留磁化が0.99T以上、1.05T以下、保磁力が380kA/m以上、450kA/m以下、最大エネルギー積(BH)maxが90kJ/m3以上、130kJ/m3以下であることを特徴とする希土類薄膜磁石。
IPC (8)：
H01F 1/057 ( 200 6.01)
, C23C 14/24 ( 200 6.01)
, C23C 14/58 ( 200 6.01)
, C23C 14/16 ( 200 6.01)
, H01F 10/14 ( 200 6.01)
, H01F 41/18 ( 200 6.01)
, C22C 38/00 ( 200 6.01)
, H01F 41/02 ( 200 6.01)
H01F 1/04 H
, C23C 14/24 E
, C23C 14/58
, C23C 14/16 D
, H01F 10/14
, H01F 41/18
, C22C 38/00 303 D
, H01F 41/02 G
