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J-GLOBAL ID:201603005815659522

希土類薄膜磁石及びその製造方法並びに希土類薄膜磁石形成用ターゲット

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小越 一輝
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2014115719
Publication number (International publication number):2015230944
Patent number:5861246
Application date: Jun. 04, 2014
Publication date: Dec. 21, 2015
Claim (excerpt):
【請求項1】 Nd、Fe、Bを必須成分とする希土類薄膜磁石であって、α-Fe相とNd2Fe14B相とが三次元的に交互に配列した組織からなり、各相の平均結晶粒径が10〜30nmであり、膜厚が5μm以上、残留磁化が0.99T以上、1.05T以下、保磁力が380kA/m以上、450kA/m以下、最大エネルギー積(BH)maxが90kJ/m3以上、130kJ/m3以下であることを特徴とする希土類薄膜磁石。
IPC (8):
H01F 1/057 ( 200 6.01) ,  C23C 14/24 ( 200 6.01) ,  C23C 14/58 ( 200 6.01) ,  C23C 14/16 ( 200 6.01) ,  H01F 10/14 ( 200 6.01) ,  H01F 41/18 ( 200 6.01) ,  C22C 38/00 ( 200 6.01) ,  H01F 41/02 ( 200 6.01)
FI (8):
H01F 1/04 H ,  C23C 14/24 E ,  C23C 14/58 ,  C23C 14/16 D ,  H01F 10/14 ,  H01F 41/18 ,  C22C 38/00 303 D ,  H01F 41/02 G
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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