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J-GLOBAL ID：201603007775339310

成膜装置及び温度測定方法

Inventor：
家近 泰

About 家近 泰

, 
秋田 征人

About 秋田 征人


Applicant, Patent owner：
株式会社ニューフレアテクノロジー

About 株式会社ニューフレアテクノロジー


Agent (5)： 勝沼 宏仁 ,  関根 毅 ,  赤岡 明 ,  小川 眞一 ,  中原 文彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015065729
Publication number (International publication number)：2016186960
Application date： Mar. 27, 2015
Publication date： Oct. 27, 2016
Summary：
【課題】温度測定精度の低下を抑えつつ、測定可能な下限温度を低くすることができる成膜装置及び温度測定方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る成膜装置1は、基板Wを支持する支持部と、支持部を介して基板Wの中心を回転中心とし基板Wを面内方向に回転させる回転部と、基板W上にプロセスガスを供給するガス供給部と、排気ガスを排出する排気部と、基板Wを加熱する加熱部と、基板Wの表面の温度を測定する放射温度計10とを備える。この放射温度計10は、基板Wの表面に照射される照射光の光源10aと、基板Wの表面における回転中心から所定距離の第1の測定領域からの反射光L1aを受光する第1の受光部10fと、基板Wの表面における回転中心から前記所定距離で基板Wの回転方向に延伸した第2の測定領域からの熱輻射光L2を受光する第2の受光部10fとを具備する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基板を支持する支持部と、 前記支持部を介して前記基板の中心を回転中心とし前記基板を面内方向に回転させる回転部と、 前記基板上にプロセスガスを供給するガス供給部と、 排気ガスを排出する排気部と、 前記基板を加熱する加熱部と、 前記基板の表面の温度を測定する放射温度計と、 を備え、 前記放射温度計は、 前記基板の表面に照射される照射光の光源と、 前記基板の表面における前記回転中心から所定距離の第1の測定領域からの反射光を受光する第1の受光部と、 前記基板の表面における前記回転中心から前記所定距離で前記基板の回転方向に延伸した第2の測定領域からの熱輻射光を受光する第2の受光部と、 を具備することを特徴とする成膜装置。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 14/52 ,  C23C 16/44 ,  G01J 5/00
FI (5)：
H01L21/205 ,  C23C14/52 ,  C23C16/44 Z ,  G01J5/00 101C ,  G01J5/00 B
F-Term (43)：
2G066AB02 ,  2G066AC07 ,  2G066AC20 ,  2G066BB02 ,  2G066BC12 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DA03 ,  4K029DB03 ,  4K029DB14 ,  4K029DB18 ,  4K029JA02 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA14 ,  4K030JA10 ,  4K030KA39 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045EK03 ,  5F045EK09 ,  5F045EK11 ,  5F045EM10 ,  5F045GB05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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