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J-GLOBAL ID：201603008456697749

金属(X)ドープバナジン酸ビスマスの製造方法および金属(X)ドープバナジン酸ビスマス

Inventor： ジア チンシン ,  堂免 一成 ,  山田 太郎 ,  工藤 昭彦 ,  岩瀬 顕秀 ,  新城 亮
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学 ,  学校法人東京理科大学 ,  三井化学株式会社 ,  人工光合成化学プロセス技術研究組合
Agent (2)： 正林 真之 ,  林 一好
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015181358
Publication number (International publication number)：2016064976
Application date： Sep. 15, 2015
Publication date： Apr. 28, 2016
Summary：

【課題】水を分解して水素を製造する光触媒に用いるシーライト構造モノクリニック相のBiVO4の高性能化のため、金属がドープされたBiVO4、及び、その製造方法の提供。【解決手段】周期律表の第2族〜第15族に含まれる元素から選ばれる1種以上の金属(X)をバナジン酸塩に予めドープし、更にビスマスイオンと接触させるビスマス化工程を含む、この工程により金属(X)ドープバナジン酸塩を安定化することができ、得られる金属(X)ドープBiVO4の粒子形状を制御することもできる金属(X)ドープBiVO4の製造方法。BiVO4にドープする金属(X)としては、電気伝導率を高めることができる点で、Mo又はWが最も好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

周期律表の第2族〜第15族に含まれる元素から選ばれる1種以上の金属(X)をドープしたバナジン酸塩をビスマスイオンと接触させるビスマス化工程を含む、金属(X)ドープバナジン酸ビスマスの製造方法。

IPC (2)：

C01G 31/00 ,  B01J 23/31

FI (2)：

C01G31/00 ,  B01J23/31 M

F-Term (56)：

4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC08 ,  4G048AD03 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  4G169AA02 ,  4G169AA06 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169BA48A ,  4G169BB01A ,  4G169BB01B ,  4G169BB06A ,  4G169BB06B ,  4G169BC25A ,  4G169BC25B ,  4G169BC54A ,  4G169BC54B ,  4G169BC59A ,  4G169BC59B ,  4G169BC60A ,  4G169BC60B ,  4G169BD02A ,  4G169BD02B ,  4G169CC33 ,  4G169DA08 ,  4G169EA01X ,  4G169EA01Y ,  4G169EC22X ,  4G169EC25 ,  4G169EC27 ,  4G169FA01 ,  4G169FB06 ,  4G169FB07 ,  4G169FB30 ,  4G169FB34 ,  4G169FB36 ,  4G169FB57 ,  4G169FB77 ,  4G169FB78 ,  4G169FC02 ,  4G169FC07 ,  4G169FC08 ,  4G169FC10 ,  4G169HA02 ,  4G169HA05 ,  4G169HA14 ,  4G169HB06 ,  4G169HC02 ,  4G169HC08 ,  4G169HC29 ,  4G169HD03 ,  4G169HD04 ,  4G169HE09 ,  4G169HF10