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J-GLOBAL ID：201603008818233290

無機固体イオン伝導体とその製造方法および電気化学デバイス

Inventor： 藤川 茂紀 ,  国武 豊喜
Applicant, Patent owner： 株式会社ナノメンブレン
Agent (1)： 中嶋 和昭
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012162174
Publication number (International publication number)：2013168352
Patent number：5936190
Application date： Jul. 23, 2012
Publication date： Aug. 29, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】ケイ素(Si)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、アルミニウム(Al)、セリウム(Ce)、ニオブ(Nb)、スズ(Sn)、およびインジウム(In)からなる群より選択される1または複数の金属の金属酸化物前駆体を含む反応液を調製する工程と、 基材の表面に前記反応液を塗布し、前記金属酸化物前駆体を反応させ、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ニオブ、酸化スズ、および酸化インジウムからなる群より選択される1または複数からなり、電子絶縁性の非晶質の金属酸化物薄膜を形成する工程と、 前記金属酸化物薄膜に、1価、2価、または3価の金属イオンをドープする工程とを有することを特徴とする無機固体イオン伝導体の製造方法。

IPC (4)：

H01B 13/00 ( 200 6.01) ,  H01M 10/0561 ( 201 0.01) ,  H01B 1/06 ( 200 6.01) ,  C03C 17/34 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01B 13/00 Z ,  H01M 10/056 ,  H01B 1/06 A ,  C03C 17/34 Z