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J-GLOBAL ID：201603009158346239

ダイヤモンド基板にショットキーダイオードを製造する方法

Inventor： イオン,ダビド ,  ジェラール,エチエンヌ ,  ムレ,ピエール ,  ペルノ,ジュリアン ,  テラオール,アブレイ
Applicant, Patent owner： セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク ,  ユニヴェルシテ ジョセフ フーリエ ,  インスティチュート ポリテクニック デ グレノーブル
Agent (2)： 河野 英仁 ,  河野 登夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2016509522
Publication number (International publication number)：2016522988
Application date： Apr. 18, 2014
Publication date： Aug. 04, 2016
Summary：

【解決手段】本発明は、ショットキーダイオードを製造する方法に関し、この方法は、a)半導体層(105) の水素表面終端を酸素表面終端に置換するように単結晶ダイヤモンドの半導体層(105) の表面を酸素で処理する工程、及びb)半導体層(105) の表面にジルコニウム又は酸化インジウムスズの第1の導電層を物理蒸着によって形成する工程を有する。

Claim (excerpt)：

ショットキーダイオードを製造する方法であって、 a)単結晶ダイヤモンドの半導体層(105) の表面を酸素で処理して、前記半導体層(105) の水素表面終端を酸素表面終端に置換する工程、及び b)前記半導体層(105) の表面に酸化インジウムスズの第1の導電層を物理蒸着によって形成する工程 を有することを特徴とする方法。

IPC (11)：

H01L 21/329 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/20 ,  C23C 14/02 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/58 ,  C23C 14/14 ,  C23C 16/27

FI (16)：

H01L29/86 301P ,  H01L29/48 D ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 A ,  H01L29/48 M ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301M ,  H01L29/06 301M ,  H01L29/06 301V ,  H01L21/20 ,  C23C14/02 B ,  C23C14/08 D ,  C23C14/58 A ,  C23C14/14 D ,  C23C16/27

F-Term (40)：

4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA05 ,  4K029BA45 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  4K029FA01 ,  4K029GA01 ,  4K030AA07 ,  4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030LA12 ,  4M104AA10 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F152LL04 ,  5F152MM02 ,  5F152NN02 ,  5F152NQ02