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J-GLOBAL ID：201603009255151817

導電性薄膜の製造方法及び該方法により製造された導電性薄膜

Inventor： キム エジ ,  近松 真之 ,  阿澄 玲子 ,  斎藤 毅 ,  南 信次
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 特許業務法人 もえぎ特許事務所
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2013070654
Publication number (International publication number)：WO2014021344
Application date： Jul. 30, 2013
Publication date： Feb. 06, 2014
Summary：

カーボンナノチューブが均一に分散した状態で存在し、膜厚および光透過性の調整が容易でかつ均一であり、かつ高い導電性ないし半導体特性を有するカーボンナノチューブ薄膜を提供することを目的とするものであって、カーボンナノチューブの分散性のよいヒドロキシプロピルセルロースなどの非導電性マトリックスと混合して溶剤に分散させた濃厚なインクを作製し、これをドクターブレード法やスクリーン印刷法を用いて均一な厚さに製膜し、製膜後、溶剤や光焼成や酸素プラズマ処理により非導電性マトリックスを除去してカーボンナノチューブ本来の導電性ないし半導体特性を回復させた薄膜を製造する。

Claim (excerpt)：

セルロース誘導体からなる非導電性マトリックス中にカーボンナノチューブが相互に分離した状態で分散しているカーボンナノチューブ含有薄膜から非導電性マトリックスを除去して導電性薄膜を製造する方法であって、 前記カーボンナノチューブ含有薄膜を貧溶媒で処理することにより非導電性マトリックスを除去することを特徴とする導電性薄膜の製造方法。

IPC (9)：

H01B 13/00 ,  H01B 5/02 ,  H01B 5/14 ,  C09D 5/24 ,  C09D 101/02 ,  C09D 1/00 ,  C01B 31/02 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00

FI (9)：

H01B13/00 503B ,  H01B5/02 Z ,  H01B5/14 A ,  C09D5/24 ,  C09D101/02 ,  C09D1/00 ,  C01B31/02 101F ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

F-Term (31)：

4G146AA12 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC20B ,  4G146AD08 ,  4G146AD22 ,  4G146BA04 ,  4G146CB10 ,  4G146CB16 ,  4G146CB17 ,  4G146CB35 ,  4J038AA011 ,  4J038BA021 ,  4J038BA031 ,  4J038HA021 ,  4J038KA19 ,  4J038MA07 ,  4J038NA20 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC03 ,  5G307CA07 ,  5G307CB03 ,  5G307CC04 ,  5G307FA02 ,  5G307FB04 ,  5G307FC10 ,  5G323BA05 ,  5G323BB06 ,  5G323BC03