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J-GLOBAL ID：201603011185039784

高電位勾配型単一ギャップ加速管

Inventor： 石井 保行 ,  大久保 猛 ,  神谷 富裕 ,  三宅 善信
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012197645
Publication number (International publication number)：2014053202
Patent number：5971631
Application date： Sep. 07, 2012
Publication date： Mar. 20, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 アノード電極と、イオンビームの軸方向において前記アノード電極と対向するように前記アノード電極と平行に配置されたカソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極の間で、それぞれが絶縁体を介して所定の間隔で複数段に配置された中間電極とから構成された、イオンビームの加速と集束を行う単一ギャップ加速管において、 前記アノード電極が、前記イオンビームの軸と平行な垂直片とその軸に垂直な水平片から成る断面L字型の電極であって、前記垂直片の先端が前記カソード電極の方向に延びており、前記水平片の先端が絶縁体に固定されており、かつ 前記複数個の中間電極が、前記アノード電極と相似形の断面L字型をなし、それぞれの垂直片の先端が、前記カソード電極の間に電界を形成するように前記カソード電極と対向するように配置され、それぞれの水平片の先端が前記絶縁体に固定されている ことを特徴する高電位勾配型単一ギャップ加速管。

IPC (3)：

H01J 37/12 ( 200 6.01) ,  H01J 37/317 ( 200 6.01) ,  H05H 5/00 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01J 37/12 ,  H01J 37/317 D ,  H05H 5/00