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J-GLOBAL ID：201603011944390327

半導体発光素子

Inventor： 朝田 耕司 ,  藤岡 陽
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (2)： 豊栖 康弘 ,  豊栖 康司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014194322
Publication number (International publication number)：2016066691
Application date： Sep. 24, 2014
Publication date： Apr. 28, 2016
Summary：

【課題】n型コンタクト層による活性層からの光の吸収を抑制して、光取り出し効率を改善する。【解決手段】n型半導体層10と、n型半導体層10上の一部に設けられる活性層30と、活性層30上に設けられるp型半導体層20と、n型半導体層10上の他の一部に設けられるn側電極40と、p型半導体層20上に設けられるp側電極50と、を有する半導体発光素子であって、発光素子の発光ピーク波長は240nm以上280nm以下であり、n型半導体層10は、活性層30側から順に、n側電極40が設けられるAlXGa1-XN(0.60<X≦0.65)からなる低Al組成層11と、低Al組成層11と接するAlYGa1-YN(0.70≦Y<1)からなる高Al組成層12とを有し、低Al組成層11の厚さを、高Al組成層12の厚さよりも薄くしている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

n型半導体層と、 前記n型半導体層上の一部に設けられる活性層と、 前記活性層上に設けられるp型半導体層と、 前記n型半導体層上の他の一部に設けられるn側電極と、 前記p型半導体層上に設けられるp側電極と を有する半導体発光素子であって、 前記発光素子の発光ピーク波長は240nm以上280nm以下であり、 前記n型半導体層は、前記活性層側から順に、 前記n側電極が設けられるAlXGa1-XN(0.60<X≦0.65)からなる低Al組成層と、 前記低Al組成層と接するAlYGa1-YN(0.70≦Y<1)からなる高Al組成層と、を有し、 前記低Al組成層の厚さは、前記高Al組成層の厚さよりも薄くしてなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/32

FI (1)：

H01L33/00 186

F-Term (38)：

5F141AA03 ,  5F141AA24 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA23 ,  5F141CA40 ,  5F141CA49 ,  5F141CA58 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA87 ,  5F141CA92 ,  5F141CA98 ,  5F141CB36 ,  5F141FF06 ,  5F141FF11 ,  5F141FF13 ,  5F141FF16 ,  5F241AA03 ,  5F241AA24 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA12 ,  5F241CA23 ,  5F241CA40 ,  5F241CA49 ,  5F241CA58 ,  5F241CA65 ,  5F241CA74 ,  5F241CA87 ,  5F241CA92 ,  5F241CA98 ,  5F241CB36 ,  5F241FF06 ,  5F241FF11 ,  5F241FF13 ,  5F241FF16