Pat

J-GLOBAL ID：201603015786973978

希土類錯体及びその製造方法、並びにプラスチック成形体

Inventor： 小野寺 宏光 ,  長谷川 靖哉
Applicant, Patent owner： 株式会社レーザーシステム ,  国立大学法人北海道大学
Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  沖田 英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015046001
Publication number (International publication number)：2016166140
Application date： Mar. 09, 2015
Publication date： Sep. 15, 2016
Summary：

【課題】高い耐熱性を有するとともに、長波長の光によっても効率的に発光が可能な希土類錯体及びその製造方法の提供。【解決手段】三価の希土類イオンと、該希土類イオンに配位している配位子と、を有する希土類錯体。式(1)で表されるアニオン基、及び/又は2つ以上のカルボキシラート基を有する酸アニオン配位子と、エノラート基を有するエノラート配位子と、を含む配位子。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

三価の希土類イオンと、該希土類イオンに配位している配位子と、を有する希土類錯体であって、 前記配位子が、 下記式(1):

IPC (7)：

C07F 9/30 ,  C09K 11/06 ,  C07F 5/00 ,  C07F 9/657 ,  C07C 49/92 ,  C08K 13/02 ,  C08L 101/00

FI (7)：

C07F9/30 ,  C09K11/06 ,  C07F5/00 D ,  C07F9/6574 Z ,  C07C49/92 ,  C08K13/02 ,  C08L101/00

F-Term (37)：

4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB92 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB92 ,  4H048VA70 ,  4H048VB10 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB92 ,  4J002AA001 ,  4J002BB031 ,  4J002BB121 ,  4J002BD041 ,  4J002BD121 ,  4J002BD151 ,  4J002CB001 ,  4J002CC031 ,  4J002CC211 ,  4J002CD001 ,  4J002CF001 ,  4J002CF161 ,  4J002CF211 ,  4J002CG001 ,  4J002CL001 ,  4J002CM041 ,  4J002CN011 ,  4J002CN021 ,  4J002CN031 ,  4J002DA116 ,  4J002EE046 ,  4J002EW126 ,  4J002EW136 ,  4J002EW146 ,  4J002FD206 ,  4J002GG01