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J-GLOBAL ID：201603016789109375

低抵抗キャップ構造を有する磁気読取りセンサを製造する方法

Inventor： 阪本 浩二 ,  淡河 紀宏 ,  西岡 浩一 ,  米川 隆生 ,  加藤 篤 ,  岡崎 幸司
Applicant, Patent owner： エイチジーエスティーネザーランドビーブイ
Agent (1)： 特許業務法人はるか国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012008522
Publication number (International publication number)：2012150878
Patent number：5971681
Application date： Jan. 18, 2012
Publication date： Aug. 09, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 キャッピング層で覆われたセンサ積重体を形成するステップであって、前記キャッピング層は、Ruを含む第1の層と、前記第1の層を覆って形成される、前記第1の層と異なる材料であり、Ir、Rh、Pd、またはPtを含む第2の層と、前記第2の層を覆って形成される、Ta、Ti、Zr、Nb、Hf、V、Al、またはSiを含み、少なくとも20Åの厚さを有する第3の層と、前記第3の層を覆って形成される、前記第3の層と組成上異なる第4の層と、を含む、ステップと、 前記第2、第3、および第4の層を除去する除去プロセスを実施するステップであって、前記第1の層の少なくとも一部分が残る、ステップと、 を含む、磁気センサを製造する方法。

IPC (3)：

G11B 5/39 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  H01L 43/10 ( 200 6.01)

FI (3)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-175640   Applicant：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド, アプライドスピントロニクスインコーポレイテッド

Cited by examiner (1)

• 磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-175640   Applicant：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド, アプライドスピントロニクスインコーポレイテッド