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J-GLOBAL ID：201603017128378341

Ga2O3系半導体素子

Inventor： 佐々木 公平 ,  東脇 正高
Applicant, Patent owner： 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構
Agent (4)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015166425
Publication number (International publication number)：2016015503
Application date： Aug. 26, 2015
Publication date： Jan. 28, 2016
Summary：

【課題】高品質のGa2O3系半導体素子を提供する。【解決手段】一実施の形態として、(100)面から50°以上90°以下の角度だけ回転させた面を主面とするn型β-Ga2O3基板2と、n型β-Ga2O3基板2上に形成されたβ-Ga2O3単結晶膜3と、β-Ga2O3単結晶膜3上に形成されたソース電極22a、22bと、n型β-Ga2O3基板2のβ-Ga2O3単結晶膜3と反対側の面上に形成されたドレイン電極25と、β-Ga2O3単結晶膜3中に形成され、ソース電極22a、22bが接続されたn型のコンタクト領域23a、23bと、β-Ga2O3単結晶膜3上にゲート絶縁膜26を介して形成されたゲート電極21と、を含むGa2O3系半導体素子20を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の導電型を有し、(100)面から50°以上90°以下の角度だけ回転させた面を主面とするβ-Ga2O3基板と、 前記β-Ga2O3基板上に直接または他の膜を介して形成されたβ-Ga2O3単結晶膜と、 前記β-Ga2O3単結晶膜上に形成されたソース電極と、 前記β-Ga2O3基板の前記β-Ga2O3単結晶膜と反対側の面上に形成されたドレイン電極と、 前記β-Ga2O3単結晶膜中に形成され、前記ソース電極が接続された、前記第1の導電型を有するコンタクト領域と、 前記β-Ga2O3単結晶膜上、又は前記β-Ga2O3単結晶膜に形成された溝内にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 を含むGa2O3系半導体素子。

IPC (7)：

H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/24

FI (9)：

H01L29/78 652T ,  C30B29/16 ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658A ,  H01L21/20 ,  H01L21/363 ,  H01L29/24

F-Term (31)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BB10 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103KK01 ,  5F103KK02 ,  5F103KK05 ,  5F103KK10 ,  5F103LL08 ,  5F103RR07 ,  5F152LL03 ,  5F152LL07 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LM09 ,  5F152MM04 ,  5F152NN01 ,  5F152NQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

• 絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-278769   Applicant：住友電気工業株式会社
• ワイドバンドギャップ半導体縦型MOSFETとその製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-301371   Applicant：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 炭化珪素半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-088480   Applicant：富士電機ホールディングス株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-061400   Applicant：住友電気工業株式会社
• γ-Ga2O3の製造方法及びγ-Ga2O3
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-305856   Applicant：日本軽金属株式会社, 国立大学法人東北大学
• p型半導体及び半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-039658   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• β-Ga2O3系単結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-046552   Applicant：学校法人早稲田大学
• Ga2O3系結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-136276   Applicant：株式会社光波
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-232425   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• β-Ga2O3 growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy
• Atomically resolved silicon donor states of β-Ga2O3
• Silicon carbide power MOSFET technology
• Vertical GaN-based trench gate maetal oxide semiconductor field-effect transistors on GaN bulk subst