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J-GLOBAL ID:201603018202384665

グラフェン薄膜の製造方法及びグラフェン薄膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 加藤 久 ,  久保山 隆
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2012042115
Publication number (International publication number):2013177273
Patent number:5885198
Application date: Feb. 28, 2012
Publication date: Sep. 09, 2013
Claim (excerpt):
【請求項1】 単結晶基板の表面にエピタキシャルな金属膜を成膜した基板に、炭素含有分子を含有する原料ガスを供給して化学気相成長(CVD)により、前記エピタキシャルな金属膜の表面にグラフェン薄膜を成長させる工程を含むグラフェン薄膜の製造方法において、 二層グラフェンの核を生成する条件でガス供給を行う第1の原料ガス供給工程と、 生成した前記二層グラフェンの核から二層グラフェンを成長させる条件でガス供給を行う第2の原料ガス供給工程と、 を含むことを特徴とするグラフェン薄膜の製造方法。
IPC (1):
C01B 31/02 ( 200 6.01)
FI (1):
C01B 31/02 101 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent:
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