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J-GLOBAL ID：201603018586794679

導波路材料膜の形成方法

Inventor：
岡崎 功太

About 岡崎 功太

, 
西 英隆

About 西 英隆

, 
土澤 泰

About 土澤 泰

, 
山田 浩治

About 山田 浩治


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (3)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014175505
Publication number (International publication number)：2016051015
Application date： Aug. 29, 2014
Publication date： Apr. 11, 2016
Summary：
【課題】光吸収が生じる結合基や、雰囲気の酸素と結合して屈折率の低下を招く結合基などの生成を抑制してSiN膜またはSiON膜が形成できるようにする。【解決手段】まず、ステップS101で、対象とする基板を所定の温度に加熱する。ステップS102で、基板の上にハロゲン系シリコン化合物からなる原料ガスを供給し、プラズマCVD法によりSiNまたはSiONからなる導波路材料膜を形成する。ステップS103で、水素または重水素を含む水素供給ガスより水素イオンまたは重水素イオンを生成し、生成した水素イオンまたは重水素イオンを基板の上に供給する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
プラズマCVD法により、基板の上にハロゲン系シリコン化合物からなる原料ガスを供給して前記基板の上にSiNまたはSiONからなる導波路材料膜を形成する工程を備え、 前記原料ガスとは別の、水素または重水素を含む水素供給ガスより水素イオンまたは重水素イオンを生成し、生成した水素イオンまたは重水素イオンを前記基板の上に供給して前記導波路材料膜を形成する ことを特徴とする導波路材料膜の形成方法。
IPC (5)：
G02B 6/132 ,  H01L 21/318 ,  G02B 6/12 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/511
FI (6)：
G02B6/132 ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 C ,  G02B6/12 371 ,  C23C16/42 ,  C23C16/511
F-Term (26)：
2H147EA02A ,  2H147EA02B ,  2H147EA14A ,  2H147EA14B ,  2H147EA33A ,  2H147EA33B ,  2H147FA05 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF07 ,  5F058BF09 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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