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J-GLOBAL ID：201603018633799200

抵抗変化メモリ素子および抵抗変化メモリ素子の製造方法

Inventor： 山本 俊介 ,  三ツ石 方也 ,  宮下 徳治 ,  北中 孝尚
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (2)： 須田 篤 ,  楠 修二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015035643
Publication number (International publication number)：2016157864
Application date： Feb. 25, 2015
Publication date： Sep. 01, 2016
Summary：

【課題】駆動電圧、消費電力がともに低く、室温・大気圧下で作製を完了することができる酸化物超薄膜を含む抵抗変化メモリ素子および抵抗変化メモリ素子の製造方法を提供する。【解決手段】抵抗変化層の作製にケイ素含有高分子単分子膜の積層膜をテンプレートとして用い、これを光酸化することで得られる二酸化ケイ素超薄膜(酸化物超薄膜)を用い、なおかつ上部電極として導電性高分子の塗布膜を用いる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下部電極上に酸化物超薄膜が形成され、前記酸化物超薄膜上に上部電極が形成されて成り、 前記酸化物超薄膜は、一般式(a)

IPC (8)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/30 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/28

FI (10)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 370 ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 250G ,  H01L21/316 G ,  H01L21/316 C ,  H01L21/28 301Z

F-Term (26)：

4M104BB02 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104GG16 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF46 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ04 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA27 ,  5F083JA31 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083PR12 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083ZA20