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J-GLOBAL ID：201603018944589594
大信号等価回路モデルを用いたトランジスタ特性計算装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
田澤 英昭
, 濱田 初音
, 久米 輝代
, 河村 秀央
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012155451
Publication number (International publication number)：2014017441
Patent number：5863585
Application date： Jul. 11, 2012
Publication date： Jan. 30, 2014
Claim (excerpt)：
【請求項1】 ゲート端子とソース端子の間に接続されたゲート・ソース間容量と、
上記ゲート端子とドレイン端子の間に接続されたゲート・ドレイン間容量と、
上記ドレイン端子と上記ソース端子の間に接続され、相互コンダクタンス、ドレインコンダクタンスおよびドレイン・ソース間容量からなる並列回路と、
上記ドレイン端子と上記ソース端子の間に接続された第一のトラップ回路とを備え、
上記第一のトラップ回路は、
第一の抵抗および第一の容量からなる第一の並列回路、ダイオード、第二の抵抗および第二の容量からなる第二の並列回路の順に直列に接続されたことを特徴とする大信号等価回路モデルを用いたトランジスタ特性計算装置。
IPC (3)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
Cited by applicant (2)
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電界効果トランジスタモデルの設計方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-053507
Applicant：株式会社東芝
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GaN系HEMTのシミュレーション装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-077644
Applicant：株式会社東芝
Article cited by the Patent：
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