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J-GLOBAL ID：201603020984825422

サファイア基板の研磨方法及び得られるサファイア基板

Inventor： 佐藤 敏夫
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (2)： 西 和哉 ,  宇佐美 亜矢
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015015280
Publication number (International publication number)：2016139751
Application date： Jan. 29, 2015
Publication date： Aug. 04, 2016
Summary：

【課題】発光ダイオードに使用されるエピタキシャル成長用のサファイア基板の反り形状を制御することができるサファイア基板の研磨方法、及び得られるサファイア基板を提供する。【解決手段】サファイア基板の両面研磨方法は、下定盤1、上定盤2を有する両面ラッピング加工装置で基板4の両面をラッピング加工する第1の工程と、両面を鏡面研磨する第2の工程と、第1面だけを片面研磨して、第2面のひずみ層が第1面より厚くなるようにする第3の工程とを含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

サファイア基板の両面をラッピング加工する第1の工程、その後、両面を鏡面研磨する第2の工程を有するサファイア基板の両面研磨方法において、 第1面と第2面の両面を鏡面研磨した後、さらに、第1面だけを片面研磨する第3の工程を行い、第2面のひずみ層が、第1面のひずみ層より厚くなるようにすることを特徴とするサファイア基板の両面研磨方法。

IPC (6)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/08 ,  B24B 37/10 ,  B24B 37/12 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18

FI (8)：

H01L21/304 622W ,  B24B37/04 F ,  B24B37/04 G ,  B24B37/04 X ,  H01L21/304 621A ,  H01L21/304 621D ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18

F-Term (40)：

3C158AA07 ,  3C158AA09 ,  3C158AA18 ,  3C158CA05 ,  3C158CB01 ,  3C158CB03 ,  3C158CB10 ,  3C158DA02 ,  3C158DA06 ,  3C158DA12 ,  3C158DA17 ,  3C158DA18 ,  3C158EA01 ,  3C158EA11 ,  3C158EB01 ,  3C158EB02 ,  3C158ED01 ,  3C158ED02 ,  3C158ED08 ,  3C158ED10 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK13 ,  5F057AA02 ,  5F057BA11 ,  5F057BB12 ,  5F057BC06 ,  5F057CA11 ,  5F057CA19 ,  5F057CA36 ,  5F057DA03 ,  5F057DA05 ,  5F057GB02 ,  5F057GB17