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J-GLOBAL ID:201603021298303963
2-ホウ素化アズレン誘導体の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
廣田 雅紀
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2012534935
Patent number:5854436
Application date: Sep. 21, 2011
Claim (excerpt):
【請求項1】 式(I)
(式中、Rは、ハロゲン原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数6〜10のアリール基又はヘテロアリール基を表し、nは0〜7のいずれかの整数を表す。nが2以上の場合は、各Rは、同一であっても異なっていてもよい。)で表されるアズレン又はアズレン誘導体に、イリジウムの有機錯体からなる触媒、及び式(III)
(式中、R1〜R6は、それぞれ同一又は異なって、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。)で表されるフェナントロリン又はその誘導体の存在下にホウ素化剤を反応させることを特徴とする、式(IV)
(式中、R及びnは式(I)における定義と同様である。R7及びR8は、それぞれ独立して、水酸基、ハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアルキニル基、炭素数6〜10のアリール基又はヘテロアリール基を表し、R7及びR8は結合して、酸素原子を含んでいてもよい5員環の環状構造を形成してもよい。前記5員環の環状構造は炭素数1〜3のアルキル基で置換されていてもよく、これら置換基同士が結合して芳香族環を形成していてもよい。)で表される2-ホウ素化アズレン誘導体の製造方法。
IPC (3):
C07F 5/04 ( 200 6.01)
, C07F 5/02 ( 200 6.01)
, C07B 61/00 ( 200 6.01)
FI (3):
C07F 5/04 C
, C07F 5/02 C
, C07B 61/00 300
Article cited by the Patent:
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