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J-GLOBAL ID：201702210322444696   Reference number：17A1138965

4H-SiC/SiO₂界面におけるウェット酸化反応過程に関する理論的検討

Author (7)： HORI SHINSUKE (三重大 大学院) ,  AKIYAMA TOORU (三重大 大学院) ,  NAKAMURA KOJI (三重大 大学院) ,  ITO TOMONORI (三重大 大学院) ,  KAGESHIMA HIROYUKI (島根大 大学院) ,  UEMATSU MASASHI (慶応大 理工) ,  SHIRAISHI KENJI (名大 院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 78th  Page： ROMBUNNO.5p-PB8-3  Publication year： Aug. 25, 2017 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *silicon dioxide ,  interface (surface) ,  wet oxidation ,  *oxidation ,  theory ,  Water ,  hydroxide ion ,  process ,  calculation ,  polarity ,  energy ,  heat of reaction ,  endothermic reaction ,  stable structure ,  reaction rate ,  exothermic reaction ,  substrate (plate) ,  C-C bond ,  C-O bond ,  *heterogeneous reaction ,  barrier ,  rate-limiting ,  *interfacial reaction ,  oxidation rate ,  ab initio calculation ,  energy of reaction ,  reaction process
Semi thesaurus term： 4H-SiC ,  wet oxidation ,  energy barrier ,  *oxidation ,  rate-determining step

JST classification (3)： Other noncatalytic reactions  (CB06070U) ,  Solid-solid interface  (CB12060M) ,  Oxidation,reduction  (CF02060T)

Terms in the title (6)： 4H-SiC ,  SiO2 ,  界面 ,  酸化 ,  反応過程 ,  理論