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J-GLOBAL ID：201702211263349777   Reference number：17A1141540

窒素極性InN/GaN(000-1)ダブルヘテロ構造のMOVPE成長

Author (3)： AKASAKA TETSUYA (NTT 物性科学基礎研) ,  SCHIED Monika (NTT 物性科学基礎研) ,  KUMAKURA KAZUHIDE (NTT 物性科学基礎研)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 78th  Page： ROMBUNNO.8a-A301-9  Publication year： Aug. 25, 2017 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *indium nitride ,  *gallium nitride ,  *heterojunction ,  *MOCVD ,  *Nitrogen ,  polarity ,  crystal orientation ,  *desorption ,  thin film growth ,  compound semiconductor ,  high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscope
Semi thesaurus term： barrier layer

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (7)： 窒素 ,  極性 ,  InN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  MOVPE ,  成長