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J-GLOBAL ID：201702211341173460   Reference number：17A1955659

Quantification of Surface Electron Trapping of GaN Transistors by Using Operando Soft X-ray Photoelectron Nanospectroscopy

Operando軟X線光電子ナノ分光法を利用することによるGaNトランジスタの表面電子トラッピングの定量

Author (12)： FUKIDOME Hirokazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OMIKA Keiichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TATENO Yasunori (Sumitomo Electric Ind., Yokohama, JPN) ,  KOUCHI Tsuyoshi (Sumitomo Electric Ind., Yokohama, JPN) ,  KOMATANI Tsutomu (Sumitomo Electric Device Innovation, Yamanashi, JPN) ,  NAGAMURA Naoka (NIMS, Ibaraki, JPN) ,  KONNO Syun (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  TAKAHASHI Yoshinobu (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  KOTSUGI Masato (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  HORIBA Koji (KEK/PF, Tsukuba, JPN) ,  SUEMITSU Maki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OSHIMA Masaharu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM)  (Program/Abstracts. International Symposium on Surface Science (CD-ROM))
Volume： 8th  Page： ROMBUNNO.6pA2-3  Publication year： 2017 
JST Material Number： L8395B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： HEMT ,  *gallium nitride ,  *power transistor ,  electron system ,  low dimensional system ,  two dimension ,  *electronic state ,  surface ,  *surface level ,  *electron ,  capture ,  trapping center ,  *soft X-ray ,  *Photoelectron Spectroscopy ,  binding energy ,  energy distribution ,  Computer Simulation ,  electrode ,  gate (semiconductor) ,  2 dimensional electron system ,  *electron trap ,  surface electronic state ,  computer application ,  utilization
Semi thesaurus term： gate electrode ,  nanometer ,  gallium nitride high electron mobility transistor

JST classification (4)： Transistors  (NC03070N) ,  Salts  (CD01050V) ,  Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H) ,  Electron spectroscopy  (BM09060K)

Terms in the title (8)： 軟X線 ,  光電子 ,  分光法 ,  GaN ,  トランジスタ ,  電子 ,  トラッピング ,  定量