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J-GLOBAL ID：201702212141002129   Reference number：17A1995686

High-temperature annealing of AlN template on sapphire

サファイア基板上AlNテンプレートの高温アニール

Author (5)： MIYAKE HIDETO (三重大 大学院地域イノベーション学研究科) ,  MIYAKE HIDETO (三重大 大学院工学研究科) ,  HAYASHI YUSUKE (三重大 大学院地域イノベーション学研究科) ,  XIAO Shiyu (三重大 大学院地域イノベーション学研究科) ,  HIRAMATSU KAZUMASA (三重大 大学院工学研究科)
Material： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
Volume： 46th  Page： ROMBUNNO.27p-B02  Publication year： 2017 
JST Material Number： L6730B  ISSN： 2188-7268  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *substrate (plate) ,  sapphire ,  *aluminum nitride ,  high temperature ,  annealing (heat treatment) ,  form ,  *semiconductor thin film ,  crystallinity ,  surface quality ,  transmission electron microscope ,  electron microscopy ,  *sapphire substrate ,  template ,  ore ,  precious stone

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： サファイア基板 ,  AlN ,  テンプレート ,  アニール