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J-GLOBAL ID：201702213438570159   Reference number：17A1727311

Analysis of quasi-ballistic hole transport capability of Ge and Si nanowire pMOSFETs by a quantum-corrected Boltzmann transport equation

量子補正されたBoltzmann輸送方程式によるGeとSiナノワイヤpMOSFETの準バリスティック正孔輸送能力の解析【Powered by NICT】

Author (3)： Tanaka Hajime (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Suda Jun (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Kimoto Tsunenobu (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2017  Issue： SISPAD  Page： 277-280  Publication year： 2017 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The quasi-ballistic hole trans...

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Thesaurus term： electric current ,  *Germanium ,  *silicon ,  *nanowire ,  transmissivity ,  *quantum correction ,  hole mobility ,  *hole transport ,  plasma current drive
Semi thesaurus term： ゲート長 ,  エネルギー緩和 ,  電流駆動 ,  *pMOSFET ,  *輸送方程式 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (11)： 量子補正 ,  輸送方程式 ,  Ge ,  Si ,  ナノワイヤ ,  pMOSFET ,  バリ ,  スティック ,  正孔輸送 ,  能力 ,  解析