Art

J-GLOBAL ID：201702216257337171   Reference number：17A1698869

High performance and functional polycrystalline-silicon thin-film transistors on a glass substrate

ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタの高性能化・高機能化

Author (1)： HARA AKITO (東北学院大 工)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 86  Issue： 11  Page： 962-966  Publication year： Nov. 10, 2017 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： electric apparatus and parts ,  *polysilicon ,  *thin film transistor ,  interconnection ,  *laser irradiation ,  crystallization ,  *logic circuit
Semi thesaurus term： glass substrate ,  *poly-crystalline silicon ,  internet of things ,  *CMOS inverter

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Laser irradiation effects and damages  (BK16040S) ,  Logic circuits  (NC05070B)

Reference (36)：

• S.D. Theiss, P.G. Carey, P.M. Smith, P. Wickboldt, T.W. Sigmon, Y.J. Tung, and T.-J. King: IEDM Tech. Dig. p.257 (1998).
• D.P. Gosain, T. Noguchi, and S. Usui: Jpn. J. Appl. Phys. 39, L179 (2000).
• Y. Lee, H. Li, and S.J. Fonash: IEEE Electr. Device Lett. 24, 19 (2003).
• A. Pecora, L. Maiolo, M. Cuscunà, D. Simeone, A. Minotti, L. Mariucci, and G. Fortunato: Solid-State Electron. 52, 348 (2008).
• T. Serikawa and F. Omata: IEEE Electr. Device Lett. 20, 574 (1999).

Terms in the title (5)： ガラス基板 ,  多結晶シリコン ,  薄膜トランジスタ ,  高性能化 ,  高機能化