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J-GLOBAL ID：201702219069588656   Reference number：17A1020057

Chemical beam epitaxy of GaAs_1- N using MMHy and DMHy precursors, modeled by ab initio study of GaAs(100) surfaces stability over As₂, H₂ and N₂

As_2,H_2とN_2上のMMHyとDMHy前駆体を用いたGaAs_1N,GaAs(100)表面の安定性のab initio研究によりモデル化されたの化学ビームエピタクシー【Powered by NICT】

Author (3)： Valencia Hubert (Research Institute for Applied Mechanics (RIAM), Kyushu University, 6-1, Kasuga-Koen, Kasuga Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Kangawa Yoshihiro (Research Institute for Applied Mechanics (RIAM), Kyushu University, 6-1, Kasuga-Koen, Kasuga Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Kakimoto Koichi (Research Institute for Applied Mechanics (RIAM), Kyushu University, 6-1, Kasuga-Koen, Kasuga Fukuoka 816-8580, Japan)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 468  Page： 557-561  Publication year： 2017 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Using ab initio calculations, ...

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Thesaurus term： *CBE growth ,  *precursor(substance) ,  *gallium arsenide ,  solar cell ,  vapor phase growth ,  precursor(fluid wave) ,  *modeling
Semi thesaurus term： 高品質 ,  成長条件 ,  反応条件 ,  分子吸着 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (5)： A1. Ab initio calculations ,  A3. Vapor-Phase Epitaxy ,  B1. GaAsN ,  B2. Semiconducting III-V materials ,  B3. Solar Cells

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 前駆体 ,  GaAs ,  安定性 ,  研究 ,  モデル ,  化学ビームエピタクシー