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J-GLOBAL ID：201702219203778829   Reference number：17A1607126

Growth Temperature Dependence of Optical Properties in GaAs Nanowires Grown by Pulsed-jet Gas Epitaxy

原料ガス断続供給法を用いて異なる成長温度で作製したGaAsナノワイヤの発光特性

Author (4)： NAKAGAWA GOUSHI (宮崎大) ,  MAEDA KOJI (宮崎大) ,  SUZUKI HIDETOSHI (宮崎大) ,  SAKAI KENTARO (宮崎大)
Material： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
Issue： 46  Page： 109-112 (WEB ONLY)  Publication year： Jul. 31, 2017 
JST Material Number： U0521A  ISSN： 0540-4924  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *nanowire ,  *gallium arsenide ,  temperature ,  *photoluminescence ,  *atomic layer epitaxy ,  jet(flow) ,  *VLS growth ,  exciton
Semi thesaurus term： growing temperature ,  aeropulse ,  *原料ガス断続供給法 ,  free exciton

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： 原料ガス ,  成長温度 ,  作製 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  発光特性