Art

J-GLOBAL ID：201702219923642728   Reference number：17A1221139

Structural and electronic properties of barium-induced surfaces on Si(111): Barium disilicide and Si(111)2 × 8 reconstruction

バリウム誘起のSi(111)上の表面の構造と電子特性:二ケイ化バリウムおよびSi(111)2×8再構成

Author (6)： KUBO Osamu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OTSUKA Takuro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKASAKA Shouta (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OSAKA Shun (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TABATA Hiroshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KATAYAMA Mitsuhiro (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 55  Issue： 8S1  Page： 08NB11.1-08NB11.4  Publication year： Aug. 2016 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *crystal orientation ,  *surface ,  *crystallization ,  barium ,  silicide ,  *reconstitution ,  scanning tunneling microscope ,  spectroscopy ,  vapor deposition ,  periodic structure ,  band gap
Semi thesaurus term： *Si(111) ,  *semiconductor surfaces ,  *metal induced crystallization ,  barium silicide ,  scanning tunneling spectroscopy

JST classification (3)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E) ,  Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Reference (21)：

• K. Morita, Y. Inomata, and T. Suemasu, Thin Solid Films 508, 363 (2006).
• K. Morita, M. Kobayashi, and T. Suemasu, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L390 (2006).
• T. Saito, Y. Matsumoto, M. Suzuno, M. Takeishi, R. Sasaki, T. Suemasu, and N. Usami, Appl. Phys. Express 3, 021301 (2010).
• H. Sch?fer, K. H. Janzon, and A. Weiss, Angew. Chem., Int. Ed. 2, 393 (1963).
• J. Evers, J. Solid State Chem. 32, 77 (1980).

Terms in the title (6)： バリウム ,  誘起 ,  Si ,  電子 ,  ケイ化バリウム ,  再構成