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J-GLOBAL ID：201702220037315408   Reference number：17A1739089

Anisotropic magnetoresistance of charge-density wave in o-TaS₃

o-TaS₃における電荷密度波の異方性磁気抵抗

Author (6)： INAGAKI Katsuhiko (Asahikawa Medical Univ., Asahikawa, JPN) ,  MATSUURA Toru (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TSUBOTA Masakatsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  UJI Shinya (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  HONMA Tatsuya (Asahikawa Medical Univ., Asahikawa, JPN) ,  TANDA Satoshi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Physical Review. B  (Physical Review. B. Covering Condensed Matter and Materials Physics)
Volume： 93  Issue： 7  Page： 075423.1-075423.4  Publication year： Feb. 2016 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *tantalum compound ,  *sulfide (chalcogenide) ,  *charge density wave ,  *magnetic reluctance ,  whisker ,  current-voltage characteristic ,  angular dependence ,  scanning tunneling microscope ,  *tantalum sulfide
Semi thesaurus term： *anisotropic magnetoresistance

JST classification (1)： Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Terms in the title (3)： TaS3 ,  電荷密度波 ,  異方性磁気抵抗