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J-GLOBAL ID：201702226723495786   Reference number：17A1193789

Appearance of quantum point contact in Pt/NiO/Pt resistive switching cells

Pt/NiO/Pt抵抗スイッチングセルにおける量子点接触の出現

Author (3)： NISHI Yusuke (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SASAKURA Hiroki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Journal of Materials Research  (J Mater Res)
Volume： 32  Issue： 14  Page： 2631-2637  Publication year： Jul. 28, 2017 
JST Material Number： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *RAM ,  memory (computer) ,  switching ,  nonvolatile memory ,  electric resistance ,  point contact ,  *micro structure ,  nickel oxide ,  oxide ,  transition metal compound ,  Platinum ,  reactive sputtering ,  RF sputtering ,  Oxygen ,  filament ,  electron microscopy ,  scanning transmisson electron microscope ,  resistive switching memory ,  *resistance switching ,  transition metal oxide ,  oxygen flow rate ,  conducting filament ,  Microscopy, Electron, Transmission ,  flow dependence ,  high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscope ,  resistance random access memory
Semi thesaurus term： resistance random access memory ,  resistive random access memory ,  *quantum point contact

JST classification (1)： Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F)

Terms in the title (5)： Pt ,  NiO ,  抵抗スイッチング ,  セル ,  量子点接触