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J-GLOBAL ID：201702231601192434   Reference number：17A1811208

Polarization-induced resistance switching phenomenon in metal Au/ferroelectric vinylidene fluoride-trifluoroethylene/semiconductor Si junction

金属金/強誘電性フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン/半導体シリコン接合中の分極誘起抵抗スイッチング現象

Author (5)： ENOMOTO Naoto (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  HASHIZUME Yoichiro (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  NAKAJIMA Takashi (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  NAKAJIMA Takashi (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  OKAMURA Yoichiro (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 56  Issue： 10S  Page： 10PF13.1-10PF13.5  Publication year： Oct. 2017 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Gold ,  *polyvinylidene fluoride ,  *silicon ,  *MIS structure ,  *polarization (phenomenon) ,  *switching ,  *polarization reversal ,  Thomas-Fermi model ,  *electrostatic shielding ,  *resistance switching ,  aliphatic fluorine compound ,  olefin compound
Semi thesaurus term： *silicon

JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Substance index (1)： Trifluoroethylene

Terms in the title (8)： 強誘電性 ,  フッ化ビニリデン ,  トリフルオロエチレン ,  半導体シリコン ,  分極 ,  誘起 ,  抵抗スイッチング ,  現象