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J-GLOBAL ID：201702232200978184   Reference number：17A0936866

Thermal dissociation of inter-layer excitons in MoS₂/MoSe₂ hetero-bilayers

MoS_2/MoSe_2ヘテロ二重層における層間励起子の熱解離【Powered by NICT】

Author (6)： Mouri Shinichiro (Institute of Advanced Energy, Kyoto University, Uji, Kyoto 611-0011, Japan. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhang Wenjing ,  Kozawa Daichi ,  Miyauchi Yuhei ,  Eda Goki ,  Matsuda Kazunari
Material： Nanoscale
Volume： 9  Issue： 20  Page： 6674-6679  Publication year： 2017 
JST Material Number： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We describe photoluminescence ...

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Thesaurus term： *excitation (physics) ,  binding energy ,  low temperature ,  spectroscopy ,  band-offset ,  monomolecular layer ,  calculation ,  *exciton ,  photoluminescence ,  decay time ,  *thermal dissociation ,  ab initio calculation ,  *bilayer
Semi thesaurus term： 光ルミネセンススペクトル ,  トリオン ,  励起子発光 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (5)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Nonlinear optics  (BD05000T) ,  Electrochemical reaction  (CB07050F) ,  Excitons  (BM02120E) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： テロ ,  重層 ,  励起子 ,  熱解離