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J-GLOBAL ID：201702234716321253   Reference number：17A1607121

Investigation of Radiative Recombination of GaAs Quantum Dots Produced by Droplet Epitaxy

液滴エピタキシー法により作製したGaAs QDsの発光再結合特性

Author (6)： IWAMOTO ANRI (宮崎大) ,  ISHITSUKA FUMINORI (宮崎大) ,  OHORI DAISUKE (宮崎大) ,  MANO TAKAAKI (宮崎大) ,  IKARI TETSUO (宮崎大) ,  FUKUYAMA ATSUHIKO (宮崎大)
Material： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
Issue： 46  Page： 85-88 (WEB ONLY)  Publication year： Jul. 31, 2017 
JST Material Number： U0521A  ISSN： 0540-4924  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *epitaxy ,  *recombination radiation ,  *gallium arsenide ,  *aluminum gallium arsenide ,  *photoluminescence ,  quantum dot ,  quantum well ,  FWHM ,  radiant intensity ,  *droplet epitaxy ,  emission intensity

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (4)： 液滴エピタキシー ,  作製 ,  GaAs ,  再結合