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J-GLOBAL ID：201702235317370311   Reference number：17A1810340

Evaluation of controlled strain in silicon nanowire by UV Raman spectroscopy

UV Raman分光法によるシリコンナノワイヤの制御歪の評価

Author (9)： YOKOGAWA Ryo (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  YOKOGAWA Ryo (JSPS, Tokyo, JPN) ,  HASHIMOTO Shuichiro (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ASADA Shuhei (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TOMITA Motohiro (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  TOMITA Motohiro (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TOMITA Motohiro (JSPS, Tokyo, JPN) ,  WATANABE Takanobu (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  OGURA Atsushi (Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 56  Issue： 6S1  Page： 06GG10.1-06GG10.5  Publication year： Jun. 2017 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Raman spectroscopy ,  *nanowire ,  *strain ,  FET ,  electrical characteristic ,  silicon dioxide ,  scanning electron microscope ,  transmission electron microscope ,  ultraviolet radiation ,  *silicon
Semi thesaurus term： *silicon nanowire ,  tensile strain ,  thermoelectric property

JST classification (3)： Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B) ,  Other fiber manufacturing and yarn processing  (YM03050G) ,  Mechanical properties of solids in general  (BL01021C)

Substance index (1)： Tetraethoxysilane

Terms in the title (4)： Raman分光法 ,  シリコンナノワイヤ ,  歪 ,  評価