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J-GLOBAL ID：201702235340127675   Reference number：17A0129117

Characterization of Free-Standing GaN Bulk Substrates by Raman Scattering Spectroscopy and Infrared Reflectance Spectroscopy

ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価

Author (5)： KANEGAE KAZUTAKA (京大 工) ,  KANEKO MITSUAKI (京大 大学院工学研究科) ,  KIMOTO TSUNENOBU (京大 大学院工学研究科) ,  HORITA MASAHIRO (京大 大学院工学研究科) ,  SUDA JUN (京大 大学院工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 116  Issue： 357(CPM2016 90-112)  Page： 21-26  Publication year： Dec. 05, 2016 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Raman scattering ,  *spectroscopy ,  *infrared reflection absorption spectroscopy ,  gallium nitride ,  substrate(plate) ,  carrier density ,  mobility(ratio) ,  *Hall effect

JST classification (4)： Electronic conduction in metals in general  (BM03031E) ,  Infrared spectroscopy and spectrometers  (BD07042H) ,  Spectroscopy and spectrometers in general  (BD07041Q) ,  Scattering,diffraction,interference of light.  (BD03030M)

Terms in the title (6)： ラマン散乱 ,  分光法 ,  赤外反射 ,  GaN ,  自立 ,  評価