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J-GLOBAL ID：201702235681972705   Reference number：17A1138712

2温度成長法で作製したGaAsBi/GaAs多重量子井戸LEDの温度特性

Author (8)： HIGUCHI TOI (愛媛大) ,  SASAKI TAISHI (愛媛大) ,  TSUKAMOTO AKIRA (愛媛大) ,  ITO EIGO (愛媛大) ,  YAMADA KOKI (愛媛大) ,  PATIL Pallavi (愛媛大) ,  ISHIKAWA FUMITARO (愛媛大) ,  SHIMOMURA SATOSHI (愛媛大)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 78th  Page： ROMBUNNO.5p-C21-3  Publication year： Aug. 25, 2017 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *multiple quantum well ,  *gallium arsenide ,  *bismuth compound ,  *light emitting diode ,  temperature dependence ,  *MBE growth ,  substrate temperature

JST classification (2)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 成長 ,  作製 ,  GaAsBi ,  GaAs ,  多重量子井戸 ,  LED ,  温度特性