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J-GLOBAL ID：201702244214334812   Reference number：17A1140385

InGaAs量子ドットにおける高密度光励起キャリアの注入ダイナミクス

Author (7)： TAKAYAMA JUN'ICHI (北大 大学院) ,  TAKEISHI KAZUKI (北大 大学院) ,  KIBA TAKAYUKI (北見工大) ,  URABE MASAYUKI (北大 大学院) ,  ITABASHI KODAI (北大 大学院) ,  HIURA SATOSHI (北大 大学院) ,  MURAYAMA AKIHIRO (北大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 78th  Page： ROMBUNNO.7a-A414-5  Publication year： Aug. 25, 2017 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *indium gallium arsenide ,  *carrier injection ,  *optical pumping ,  *quantum dot ,  *self-organizing ,  *carrier density ,  *quantum confinement ,  MBE growth ,  semiconductor thin film ,  *photoluminescence ,  emission spectrum ,  *fluorescence decay ,  *carrier generation
Semi thesaurus term： InGaAs ,  optical pumping

JST classification (2)： Electrooptical effects,magnetooptical effects  (BM08020L) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： InGaAs ,  量子ドット ,  光励起 ,  キャリア ,  注入 ,  ダイナミクス