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J-GLOBAL ID：201702247765356923   Reference number：17A0953376

Distribution of the energy levels of individual interface traps and a fundamental refinement in charge pumping theory

個々の界面トラップのエネルギー準位分布と電荷ポンピング理論における基本的改良

Author (2)： TSUCHIYA Toshiaki (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  LENAHAN Patrick M. (Pennsylvania State Univ., PA, USA)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 56  Issue： 3  Page： 031301.1-031301.6  Publication year： Mar. 2017 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *surface level ,  *carrier capture ,  silicon ,  silicon dioxide ,  *trapping center ,  *distribution ,  state density ,  Coulomb interaction ,  *excitation (physics) ,  *MOSFET ,  charge trapping
Semi thesaurus term： *charge pumping

JST classification (1)： Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Reference (50)：

• J. S. Brugler and P. G. A. Jespers, IEEE Trans. Electron Devices 16, 297 (1969).
• G. Groeseneken, H. E. Maes, N. Beltran, and R. F. DeKeersmaecker, IEEE Trans. Electron Devices 31, 42 (1984).
• P. Heremans, J. Witters, G. Groesenekn, and H. E. Maes, IEEE Trans. Electron Devices 36, 1318 (1989).
• N. S. Saks and M. G. Ancona, IEEE Electron Device Lett. 11, 339 (1990).
• G. Van den bosch, G. V. Groeseneken, P. Heremans, and H. E. Maes, IEEE Trans. Electron Devices 38, 1820 (1991).

Terms in the title (4)： 界面トラップ ,  エネルギー ,  電荷ポンピング ,  理論