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J-GLOBAL ID：201702249967956409   Reference number：17A1943199

Study on degradation of NO₂ adsorbed H-terminated diamond MOS FETs by constant voltage stress

NO₂ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価

Author (7)： ISHIMATSU YUUMA (佐賀大 理工) ,  FUNAKI KOSUKE (佐賀大 理工) ,  MASUYA SATOSHI (佐賀大 理工) ,  MIYAZAKI KYOSUKE (佐賀大 理工) ,  OSHIMA TAKAYOSHI (佐賀大 理工) ,  KASU MAKOTO (佐賀大 理工) ,  OISHI TOSHIYUKI (佐賀大 理工)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 117  Issue： 331(ED2017 49-71)  Page： 69-72  Publication year： Nov. 23, 2017 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor thin film ,  *MOSFET ,  doping ,  nitrogen dioxide ,  *load test ,  *mechanism ,  electrical property ,  *CAD
Semi thesaurus term： *diamond semiconductor ,  hole doping ,  hydrogen-termination ,  *stress test ,  *deterioration mechanism ,  electrical property ,  *TCAD

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Carbon and its compounds  (YB02060D) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (15)：

• H. Kawarada, Hydrogen-terminated diamond surfaces and interfaces, Surf. Sci. Rep. 26 (7) (1996) 205-259.
• M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, A. Tallaire, T. Makimoto, Diamond-based RF power transistors: Fundamentals and applications, Diam. Relat. Mater. 16 (4-7) (2007) 1010-1015.
• R.J. Nemanich, J.A. Carlisle, A. Hirata, K. Haenen, CVD diamond-Research, applications, and challenges, MRS Bull. 39 (6) (2014) 490-494.
• K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Okushi, K. Kajimura, Study of the effect of hydrogen on transport properties in chemical vapor deposited diamond films by Hall measurements, Appl. Phys. Lett. 68 (3) (1996) 376-378.
• S. Ri, K. Tashiro, S. Tanaka, T. Fujisawa, H. Kimura, T. Kurosu, M. Iida, Hall Effect Measurements of Surface Conductive Layer on Undoped Diamond Films in NO₂ and NH₃ Atmospheres, Jpn. J. Appl. Phys. 38 (6A) (1999) 3492-3496.

Terms in the title (8)： NO2 ,  ホールドーピング ,  水素終端 ,  ダイヤモンド ,  MOS ,  FET ,  DC ,  ストレス評価