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J-GLOBAL ID：201702252164859084   Reference number：17A1518422

APPLICATION OF PARTIALLY Si3N4-COATED PARTICLES IN HIGH-EFFICIENCE MULTI-CRYSTALLINE SILICON CAST INGOT

局所窒化ケイ素被覆粒子の効率的多結晶シリコンインゴットへの応用【JST・京大機械翻訳】

Author (6)： Dong Hui (南京工業大学材料科学与工程学院,南京,210009) ,  Yin Zhanghao (南京工業大学材料科学与工程学院,南京210009;東海晶澳太陽能科技有限公司,連云港222300) ,  Wang Zixu (南京工業大学材料科学与工程学院,南京,210009) ,  Zhong Genxiang (東海晶澳太陽能科技有限公司,連云港,222300) ,  Zhou Jianhua (西安華晶電子技術股fen有限公司,西安,710000) ,  Huang Xinming (南京工業大学材料科学与工程学院,南京210009;東海晶澳太陽能科技有限公司,連云港222300)
Material： Taiyangneng Xuebao  (Taiyono Gakuho)
Volume： 38  Issue： 2  Page： 317-322  Publication year： 2017 
JST Material Number： W0629A  ISSN： 0254-0096  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Thesaurus term： *polysilicon ,  particle size(diameter) ,  nucleation ,  silicon carbide ,  *ingot ,  crystallization ,  columnar crystal ,  *silicon nitride ,  dislocation density ,  *crystal ,  *covering ,  battery ,  crucible
Semi thesaurus term： 不均一核形成 ,  複合粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (4)： high-efficience multi-crystalline silicon ,  heterogeneous nucleation ,  composite particle ,  seeding

JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (4)： 窒化ケイ素 ,  多結晶シリコン ,  インゴット ,  応用