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J-GLOBAL ID：201702252769138244   Reference number：17A1138592

組成制御によるSiGe/Si超格子の出力因子増大

Author (10)： TANIGUCHI TATSUHIKO (大阪大 大学院) ,  OKUHATA RYO (大阪大 大学院) ,  WATANABE KENTARO (大阪大 大学院) ,  WATANABE KENTARO (JST-CREST) ,  ALAM Md. Mahfuz (東京都市大 総研) ,  SAWANO KENTARO (東京都市大 総研) ,  FUJITA TAKESHI (JST-CREST) ,  FUJITA TAKESHI (東北大) ,  NAKAMURA YOSHIAKI (大阪大 大学院) ,  NAKAMURA YOSHIAKI (JST-CREST)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 78th  Page： ROMBUNNO.5p-A503-4  Publication year： Aug. 25, 2017 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *germanium containing alloy ,  *silicon base alloy ,  *silicon ,  *superlattice ,  MBE growth ,  *electrical conductivity ,  *transport coefficient ,  factor ,  *thermal conductivity ,  scattering ,  semiconductor thin film ,  artificial superlattice ,  carrier density
Semi thesaurus term： *Seebeck coefficient ,  output factor ,  phonon scattering

JST classification (2)： Thermoelectric devices  (NC03090J) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 組成制御 ,  SiGe ,  Si ,  超格子 ,  出力因子