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J-GLOBAL ID：201702254279728587   Reference number：17A0825947

Improvement in the Negative Bias Illumination Stress Stability for Silicon-Ion Implanted Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors

シリコンイオン注入した非晶質InGaZnO薄膜トランジスタの負バイアス光照射ストレス安定性の改善【Powered by NICT】

Author (3)： Goto Tetsuya (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Imaizumi Fuminobu (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Sugawa Shigetoshi (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai, Japan)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 38  Issue： 3  Page： 345-348  Publication year： 2017 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Using ion implantation, we dop...

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Thesaurus term： *thin film transistor ,  *silicon ,  *bias ,  *ion implantation ,  mobility(ratio) ,  *photoirradiation ,  electrical conductivity ,  *amorphous state ,  doping
Semi thesaurus term： ケイ素イオン ,  サブギャップ ,  酸素空格子点 ,  ゲートバイアス ,  酸素分圧 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： シリコン ,  イオン注入 ,  非晶質 ,  トランジスタ ,  バイアス ,  光照射 ,  ストレス ,  安定性