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J-GLOBAL ID：201702256431084615   Reference number：17A1249156

Resistive switching mechanism of GeTe-Sb₂Te₃ interfacial phase change memory and topological properties of embedded two-dimensional states

GeTe Sb_2Te_3界面相変化メモリの抵抗スイッチング機構と埋め込まれた二次元状態のトポロジー的性質【Powered by NICT】

Author (6)： Nakamura Hisao (CD-FMat, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba Central 2, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan. [e-mail]) ,  Rungger Ivan ,  Sanvito Stefano ,  Inoue Nobuki ,  Tominaga Junji ,  Asai Yoshihiro
Material： Nanoscale
Volume： 9  Issue： 27  Page： 9386-9395  Publication year： 2017 
JST Material Number： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： A theoretical study of an inte...

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Thesaurus term： *switching ,  *interface(surface) ,  ferromagnetism ,  *two dimension ,  phase diagram ,  *tellurium ,  bias ,  *topology ,  *germanium ,  polarity ,  superlattice
Semi thesaurus term： 熱緩和 ,  *抵抗スイッチング ,  *相変化メモリ ,  *GeTe , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (4)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F) ,  Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Terms in the title (6)： GeTe ,  界面 ,  相変化メモリ ,  抵抗スイッチング ,  トポロジー ,  性質