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J-GLOBAL ID：201702259408162741   Reference number：17A0550217

ソース不純物濃度がGaAsSb/InGaAs縦型トンネルFETの電気特性に与える影響

Author (6)： GOTO TAKAHIRO (東大) ,  MITSUHARA MANABU (NTT 先端集積デバイス研) ,  HOSHI TAKUYA (NTT 先端集積デバイス研) ,  SUGIYAMA HIROKI (NTT 先端集積デバイス研) ,  TAKENAKA MITSURU (東大) ,  TAKAGI SHIN'ICHI (東大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.16p-412-6  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *source ,  *impurity concentration ,  antimonide ,  gallium compound ,  arsenide ,  *indium gallium arsenide ,  *longitudinal type ,  *tunnel effect ,  *FET ,  *performance index ,  *heterojunction ,  CAD ,  simulation ,  *current-voltage characteristic ,  temperature dependence ,  leakage current ,  negative resistance
Semi thesaurus term： GaAsSb ,  tunnel FET ,  subthreshold swing ,  TCAD ,  接合漏れ電流 ,  negative differential resistance

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： ソース ,  不純物濃度 ,  GaAsSb ,  InGaAs ,  縦型 ,  トンネルFET ,  電気特性