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J-GLOBAL ID：201702259661305715   Reference number：17A1607122

Investigation of Carrier Transport in GaAs-interlayer-inserted Strain-Balanced InGaAs/GaAsP Quantum Well Solar Cells

SPV法を用いたGaAs歪緩和層挿入InGaAs/GaAsP系量子井戸太陽電池のキャリア輸送評価

Author (7)： TAKEDA HIDEAKI (宮崎大) ,  NAKAMURA TSUBASA (宮崎大) ,  LU Jianan (宮崎大) ,  TOPRASERTPONG Kasidit (東大) ,  SUGIYAMA MASAKAZU (東大) ,  IKARI TETSUO (宮崎大) ,  FUKUYAMA ATSUHIKO (宮崎大)
Material： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
Issue： 46  Page： 89-93 (WEB ONLY)  Publication year： Jul. 31, 2017 
JST Material Number： U0521A  ISSN： 0540-4924  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *photovoltaic effect ,  *solar cell ,  *multiple quantum well ,  strained layer quantum well ,  relaxation phenomenon ,  indium gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  phosphide ,  gallium compound ,  indium compound ,  superlattice ,  *transport phenomenon ,  carrier diffusion ,  electric conduction ,  device structure ,  *energy level ,  spectroscopy ,  *band structure ,  wave function ,  tunnel effect
Semi thesaurus term： carrier transport ,  miniband structure ,  superlattice ,  quantum well solar cell ,  quantum level ,  strain relaxation

JST classification (2)： Solar cell  (NC03084O) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Terms in the title (7)： GaAs ,  歪緩和 ,  InGaAs ,  GaAsP ,  量子井戸太陽電池 ,  キャリア輸送 ,  評価