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J-GLOBAL ID：201702264774416037   Reference number：17A0964991

Demonstration of SiC-MOSFET embedding Schottky barrier diode for inactivation of parasitic body diode

寄生体ダイオードの不活性化のためのSiC-MOSFET埋め込みSchottky障壁ダイオードの実証【Powered by NICT】

Author (10)： Hino S. (Mitsubishi Electric Corporation, Tsukaguchi-Honmachi 8-1-1, Amagasaki, HYOGO 661-8661, Japan) ,  Hatta H. (Mitsubishi Electric Corporation, Tsukaguchi-Honmachi 8-1-1, Amagasaki, HYOGO 661-8661, Japan) ,  Sadamatsu K. (Mitsubishi Electric Corporation, Tsukaguchi-Honmachi 8-1-1, Amagasaki, HYOGO 661-8661, Japan) ,  Nagahisa Y. (Mitsubishi Electric Corporation, Tsukaguchi-Honmachi 8-1-1, Amagasaki, HYOGO 661-8661, Japan) ,  Yamamoto S. (Mitsubishi Electric Corporation, Tsukaguchi-Honmachi 8-1-1, Amagasaki, HYOGO 661-8661, Japan) ,  Iwamatsu T. (Mitsubishi Electric Corporation, Tsukaguchi-Honmachi 8-1-1, Amagasaki, HYOGO 661-8661, Japan) ,  Yamamoto Y. (Mitsubishi Electric Corporation, Tsukaguchi-Honmachi 8-1-1, Amagasaki, HYOGO 661-8661, Japan) ,  Imaizumi M. (Mitsubishi Electric Corporation, Tsukaguchi-Honmachi 8-1-1, Amagasaki, HYOGO 661-8661, Japan) ,  Nakata S. (Mitsubishi Electric Corporation, Tsukaguchi-Honmachi 8-1-1, Amagasaki, HYOGO 661-8661, Japan) ,  Yamakawa S. (Mitsubishi Electric Corporation, Tsukaguchi-Honmachi 8-1-1, Amagasaki, HYOGO 661-8661, Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： ECSCRM  Page： 1  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： External Schottky barrier diod...

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Thesaurus term： current density ,  *silicon carbide ,  voltage ,  *parasite ,  short cycle ,  *MOSFET ,  electric potential ,  *diode ,  *Schottky barrier diode ,  electric current ,  *inactivation ,  electrical resistivity
Semi thesaurus term： チップサイズ ,  ドレイン電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： 寄生体 ,  ダイオード ,  不活性化 ,  SiC ,  MOSFET ,  埋め込み ,  Schottky障壁ダイオード ,  実証