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J-GLOBAL ID：201702264804316275   Reference number：17A1141285

分子動力学法を用いたIV-IV族結晶(SiGe,GeSn,SiSn)の熱伝導率評価

Author (5)： OGASAWARA MASATAKA (早稲田大 理工) ,  TERADA TAKUYA (早稲田大 理工) ,  TOMITA MOTOHIRO (早稲田大 理工) ,  TOMITA MOTOHIRO (日本学術振興会) ,  WATANABE TAKANOBU (早稲田大 理工)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 78th  Page： ROMBUNNO.7p-PA10-3  Publication year： Aug. 25, 2017 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： molecular dynamics ,  crystal ,  semiconductor material ,  germanium base alloy ,  tin base alloy ,  silicon base alloy ,  *thermal conductivity ,  evaluation ,  *semiconductor alloys ,  carrier mobility ,  thermoelectric material ,  thermoelectric power generation ,  concentration dependence ,  boundary condition ,  Kubo formula ,  interatomic potential ,  mass difference
Semi thesaurus term： Green-Kubo formula ,  SiGe ,  Stillinger-Weber potential ,  periodic boundary condition ,  semiconductor crystal

JST classification (2)： Measuring methods and instruments of other thermal variables  (AD06040R) ,  Specific heat and thermal conduction in metals  (BL05022V)

Terms in the title (5)： 分子動力学法 ,  結晶 ,  SiGe ,  熱伝導率 ,  評価