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J-GLOBAL ID：201702265383476088   Reference number：17A1251245

Performance Improvement of HfS2 Transistors by Atomic Layer Deposition of HfO2

HfO2の原子層堆積によるHfS2トランジスタの性能改善【Powered by NICT】

Author (7)： Kanazawa Toru (Tokyo Institute of Technology, Meguro, Japan) ,  Amemiya Tomohiro (Tokyo Institute of Technology, Meguro, Japan) ,  Upadhyaya Vikrant (Tokyo Institute of Technology, Meguro, Japan) ,  Ishikawa Atsushi (Okayama University, Okayama, Japan) ,  Tsuruta Kenji (Okayama University, Okayama, Japan) ,  Tanaka Takuo (RIKEN, Wako, Japan) ,  Miyamoto Yasuyuki (Tokyo Institute of Technology, Meguro, Japan)
Material： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Trans Nanotechnol)
Volume： 16  Issue： 4  Page： 582-587  Publication year： 2017 
JST Material Number： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Hafnium disulfide (HfS<sub>2<...

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Thesaurus term： *hafnium oxide ,  hysteresis ,  band gap ,  electric current ,  passivation ,  *transistor ,  annealing temperature ,  electron device ,  electron mobility ,  modification
Semi thesaurus term： ドレイン電流 ,  輸送特性 ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (4)： HfO2 ,  原子層堆積 ,  トランジスタ ,  性能改善